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Ampio transistor a banda larga dei FETs 28V LDMOS rf del transistor di potenza LDMOS della banda 700-3600MHz 20W rf, transistor di alto potere rf

Name: Ampio transistor a banda larga dei FETs 28V LDMOS rf del transistor di potenza LDMOS della banda 700-3600MHz 20W rf, transistor di alto potere rf
Brand: VBE
SKU: VBE36015E2
Rating: 4.8 (137 reviews)

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: La Cina

Marca: VBE

Certificazione: ISO

Numero di modello: VBE36015E2

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Quantità di ordine minimo: 1pcs

Imballaggi particolari: imballaggio neutro

Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi

Capacità di alimentazione: 10k

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                                                                                                                                            TRANSISTOR DI ALTO POTERE RF, transistor dell'amplificatore di potenza di rf, Ampio transistor di potenza della banda rf
                                                      

Circostanza:

Nuovo di zecca e originale

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Nuovo di zecca e originale

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Ampio transistor a banda larga dei FETs 28V LDMOS rf del transistor di potenza LDMOS della banda 700-3600MHz 20W rf, transistor di alto potere rf

Ampio transistor a banda larga dei FETs 28V LDMOS rf del transistor di potenza LDMOS della banda 700-3600MHz 20W rf, transistor di alto potere rf 0

Ampio transistor a banda larga dei FETs 28V LDMOS rf del transistor di potenza LDMOS della banda 700-3600MHz 20W rf, transistor di alto potere rf 1

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