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Ampia HF della banda al FET 28V RoHs del transistor di potenza LDMOS di 1GHz 55W rf compiacente

Name: Ampia HF della banda al FET 28V RoHs del transistor di potenza LDMOS di 1GHz 55W rf compiacente
Brand: VBE
SKU: VBE10R5
Rating: 4.5 (107 reviews)

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: La Cina

Marca: VBE

Certificazione: ISO

Numero di modello: VBE10R5

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Quantità di ordine minimo: 1pcs

Imballaggi particolari: imballaggio neutro

Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi

Capacità di alimentazione: 10k

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Condizione:

nuovo ed originale

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Ampia HF della banda al FET 28V RoHs del transistor di potenza LDMOS di 1GHz 55W rf compiacente

Ampia HF della banda al FET 28V RoHs del transistor di potenza LDMOS di 1GHz 55W rf compiacente 0

Ampia HF della banda al FET 28V RoHs del transistor di potenza LDMOS di 1GHz 55W rf compiacente 2

Ampia HF della banda al FET 28V RoHs del transistor di potenza LDMOS di 1GHz 55W rf compiacente 3

Ampia HF della banda al FET 28V RoHs del transistor di potenza LDMOS di 1GHz 55W rf compiacente 4

Tags:

transistor di alto potere rf,

transistor dell'amplificatore di potenza di rf,

transistor di potenza ad alta frequenza

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